adalah fisikawan
Amerika Serikat yang menerima Hadiah Nobel Fisika 1956 untuk penemuan
transistor bersama John Bardeen dan William Shockley. Walter H. Brattain
lahir di Amoy, Cina, pada tanggal 10 Februari 1902, putra R. Ross
Brattain dan Ottilie tag. Ia menghabiskan masa kecil dan remaja di
Negara Bagian Washington dan menerima gelar BS Gelar dari Whitman
College pada tahun 1924. Ia dianugerahi gelar MA oleh University of
Oregon pada tahun 1926 dan Ph.D. gelar oleh University of Minnesota pada
tahun 1929.
Dr Brattain telah menjadi anggota staf teknis Bell Laboratories sejak 1929. Kepala Bidang penelitiannya telah sifat permukaan benda padat. kerja awal adalah berhubungan dengan emisi termionik dan lapisan teradsorpsi pada tungsten. Dia terus ke bidang-foto rektifikasi dan efek pada permukaan semikonduktor, yang dimulai dengan studi pembetulan pada permukaan oksida cuprous. Karya ini diikuti oleh penelitian serupa silikon. Sejak Perang Dunia II ia terus dalam baris yang sama penelitian dengan kedua silikon dan germanium.
Kontribusi kepala Dr Brattain untuk fisika keadaan padat telah penemuan efek-foto di permukaan bebas dari semikonduktor, penemuan transistor titik kontak bersama-sama dengan Dr John Bardeen, dan bekerja menuju pemahaman yang lebih baik dari sifat permukaan semikonduktor, dilakukan pertama dengan Dr Bardeen, kemudian dengan Dr CGB Garrett, dan saat ini dengan Dr P. J. Boddy.
Dr Brattain menerima kehormatan Doctor of Science dari Portland University pada tahun 1952, dari Whitman College dan Union College pada tahun 1955, dan dari University of Minnesota pada tahun 1957. Pada tahun 1952 ia dianugerahi Stuart Ballantine Medal dari Institut Franklin, dan pada tahun 1955 John Scott Medal. Tingkat di Union College dan dua medali diterima bersama-sama dengan Dr John Bardeen, sebagai pengakuan atas pekerjaan mereka pada transistor.
Dr Brattain adalah anggota National Academy of Sciences dan Institut Franklin, sebuah Fellow dari American Physical Society, American Academy of Arts and Sciences, dan Asosiasi Amerika untuk Kemajuan Ilmu. Ia juga anggota komisi tentang semikonduktor Uni Internasional Fisika Murni dan Terapan, dan dari Naval Research Komite Penasihat.
Pada tahun 1935 ia menikah dengan Dr Keren akhir (Gilmore) Brattain, mereka punya seorang putra, William Gilmore Brattain. Pada tahun 1958 ia menikahi Mrs Emma Jane (Kirsch) Miller. Dr Brattain tinggal di Summit, New Jersey, dekat Murray Hill (NJ) laboratorium Bell Laboratories Telepon. Walter H. Brattain meninggal pada tanggal 13 Oktober 1987.
John Bardeen (23 Mei 1908-30 Januari 1991)
Dr Brattain telah menjadi anggota staf teknis Bell Laboratories sejak 1929. Kepala Bidang penelitiannya telah sifat permukaan benda padat. kerja awal adalah berhubungan dengan emisi termionik dan lapisan teradsorpsi pada tungsten. Dia terus ke bidang-foto rektifikasi dan efek pada permukaan semikonduktor, yang dimulai dengan studi pembetulan pada permukaan oksida cuprous. Karya ini diikuti oleh penelitian serupa silikon. Sejak Perang Dunia II ia terus dalam baris yang sama penelitian dengan kedua silikon dan germanium.
Kontribusi kepala Dr Brattain untuk fisika keadaan padat telah penemuan efek-foto di permukaan bebas dari semikonduktor, penemuan transistor titik kontak bersama-sama dengan Dr John Bardeen, dan bekerja menuju pemahaman yang lebih baik dari sifat permukaan semikonduktor, dilakukan pertama dengan Dr Bardeen, kemudian dengan Dr CGB Garrett, dan saat ini dengan Dr P. J. Boddy.
Dr Brattain menerima kehormatan Doctor of Science dari Portland University pada tahun 1952, dari Whitman College dan Union College pada tahun 1955, dan dari University of Minnesota pada tahun 1957. Pada tahun 1952 ia dianugerahi Stuart Ballantine Medal dari Institut Franklin, dan pada tahun 1955 John Scott Medal. Tingkat di Union College dan dua medali diterima bersama-sama dengan Dr John Bardeen, sebagai pengakuan atas pekerjaan mereka pada transistor.
Dr Brattain adalah anggota National Academy of Sciences dan Institut Franklin, sebuah Fellow dari American Physical Society, American Academy of Arts and Sciences, dan Asosiasi Amerika untuk Kemajuan Ilmu. Ia juga anggota komisi tentang semikonduktor Uni Internasional Fisika Murni dan Terapan, dan dari Naval Research Komite Penasihat.
Pada tahun 1935 ia menikah dengan Dr Keren akhir (Gilmore) Brattain, mereka punya seorang putra, William Gilmore Brattain. Pada tahun 1958 ia menikahi Mrs Emma Jane (Kirsch) Miller. Dr Brattain tinggal di Summit, New Jersey, dekat Murray Hill (NJ) laboratorium Bell Laboratories Telepon. Walter H. Brattain meninggal pada tanggal 13 Oktober 1987.
John Bardeen (23 Mei 1908-30 Januari 1991)
ialah ilmuwan Amerika serikat yang menerima Penghargaan Nobel dalam Fisika 2 kali, yakni pada
tahun 1956 dan 1972. Dilahirkan di Madison, Wisconsin, ibunya ialah
desainer interior dan ayahnya ialah guru besar kedokteran. Sejak kecil
ia cerdas dan diizinkan loncat kelas 4 tahun di SD.
Setelah sekolah tinggi, ia belajar di Universitas Madison, mendapat gelar bachelor dalam teknik elektro. Ia mengambil pendidikan singkat untuk magang di Western Electric Company di Chicago. Setelah lulus, John
Setelah sekolah tinggi, ia belajar di Universitas Madison, mendapat gelar bachelor dalam teknik elektro. Ia mengambil pendidikan singkat untuk magang di Western Electric Company di Chicago. Setelah lulus, John
Walter
Houser Brattain (10 Februari 1902 - 13 Oktober 1987)
Pada tahun 1930, ia berpisah dengan Peters untuk pergi ke Pittsburgh, Pennsylvania. Di sana, mereka diberi jabatan riset di Gulf Research Laboratories dan bekerja di sana sampai tahun 1933. Selama masa itu, John bekerja pada pengembangan metode untuk menafsirkan survei geologi magnetik.
William Bradford Shockley (lahir di London, Inggris, Britania Raya, 13 Februari 1910 – meninggal di Stanford, California, Amerika Serikat, 12 Agustus 1989 pada umur 79 tahun) ialah fisikawan Amerika Serikat kelahiran Inggris yang menerima Hadiah Nobel Fisika bersama dengan John Bardeen dan Walter H. Brattain.
Ia dilahirkan di London dari orang tua Amerika Serikat yang berada di Inggris selama bebberapa tahun untuk urusan bisnis. Ayahnya adalah insinyur pertambangan dan ibunya wakil surveyor federal untuk tanah mineral. Mereka kembali ke Kalifornia saat William masih balita. Minatnya dalam sains tumbuh sejak dini, melalui profesi orangtuanya dan tetangganya yang mengajar fisika di Stanford. Ia lulus dari CalTech pada 1932 dan menerima PhD dari MIT pada 1936.
Ia mulai bekerja di Laboratorium Bell. Penelitiannya dalam fisika benda padat, khususnya tabung vakum, membuat banyak kemajuan teoretis dalam tujuan perusahaan untuk menggunakan tombol elektronik untuk kantor telepon sebagai pengganti tombol mekanik yang masih dipakai sampai saat itu. Selama PD II, Shockley bekerja untuk proyek militer, khususnya memperhalus sistem radar. Begitu perang berakhir, ia kembali meneliti benda padat, kini mengamati semikonduktor.
***
Dari Nobel Kuliah, Fisika 1942-1962, Elsevier Publishing Company, Amsterdam, 1964
0 komentar:
Posting Komentar